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瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0x1.2mm

32.768KHz千赫子時鐘晶體,其本身主要應用在時鐘控制產品,或者是控制模塊,主要給時鐘芯片提供一個基準信號,其主要各項功能還得看應用何種產品.本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定.

訂購熱線：0755-27876565

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微晶晶振在瑞士、泰國建有石英晶振,晶體振蕩器生產中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規范的要求.全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理、環境、社會責任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上）,這些是我們在未來保持競爭優勢的主要原因.

微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產品.

而今,微晶晶振已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO晶體振蕩器,有源晶振等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品.

瑞士微晶晶振集團減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.通過設計工藝程序對員工進行培訓保護環境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產品的信息,對環境有重大健康安全和環境的運營現狀進行糾正.

保持就健康安全環境問題與臨近攝取進行對話.通過在環境控制方面實施優秀的管理實踐,以保護環境和與強生公司全球運作相關的自然資源.向員工灌輸環境價值觀,在所有的石英晶振,晶體振蕩器,石英晶體諧振器等產品和生產過程中應用最佳環境實用技術,為全球可持續發展做出貢獻.

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瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振,隨著科技日益高速的發展,電子元器件體積也越來越小,智能手機,平板電腦等無線通訊器材,也隨著小型化,就在蘋果2016年推出智能手環以來,各項智能手環通訊產品在國內陸陸續續的推出,因智能手環本身重量輕,體積小等原因,所以內部所使用的電子零件均是目前最新最小的產品.那么晶振又有那幾款會使用到智能手環里面呢？32.768KHZ目前SMD品種有幾款產品在智能手環中發揮最大的作用呢？以下幾款對比產品：愛普生晶振品牌FC-12M,精工晶體的品牌SC-20S晶振,西鐵城晶振的CM-212H,日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場上最為常用的小尺寸貼片晶振,外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一粒米大小.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.

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微晶晶振規格	單位	CC8V-T1A晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.huawenwenxue.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

CC8V-T1A 2012 yijin-4 在使用微晶晶振時應注意以下事項:

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯
（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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CC8V-T1A晶振瑞士微晶晶振 2012超薄小貼片晶振

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