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ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

頻率：3.57954M~70MHZ

尺寸：11.35x4.65mm

49S插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27876565

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自1980年ECS Inc.晶振集團(tuán)成立以來,在國際范圍內(nèi)進(jìn)行了近35年的業(yè)務(wù),自成立以來已超過30億的頻率控制組件,致力于為世界提供最先進(jìn)的創(chuàng)新頻率控制技術(shù).ECS公司堅(jiān)持以創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化,旨在促進(jìn)和發(fā)展每一個(gè)無價(jià)值的伙伴關(guān)系的創(chuàng)造力,使我們能夠最大限度地滿足不斷變化的全球電子市場的需求.

ECS Inc.晶振集團(tuán)成為市場領(lǐng)導(dǎo)者提供創(chuàng)新、先進(jìn)的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業(yè)、公用事業(yè)、導(dǎo)航、汽車、電子、航空航天和醫(yī)療與一流的制造行業(yè)的基于石英晶體/過濾器,時(shí)鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產(chǎn)品.ECS inc .以迅速擴(kuò)大的市場部門的多元化產(chǎn)品基礎(chǔ),熱情關(guān)注客戶和市場趨勢,調(diào)動(dòng)企業(yè)的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務(wù).

ECS晶振集團(tuán)擁有頂尖人才和技術(shù),以及創(chuàng)新的產(chǎn)品開發(fā)理念,使其能夠解決復(fù)雜的客戶問題.石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓電水晶的批量生產(chǎn)在日本、中國、臺(tái)灣和韓國的世界級(jí)認(rèn)證的制造設(shè)施.內(nèi)部檢測和測試確保所有產(chǎn)品達(dá)到或超過ECS公司的質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn).這些制造地點(diǎn)擁有最嚴(yán)格的質(zhì)量管理認(rèn)證,開始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ產(chǎn)品的國際組織.

ECS Inc國際晶振集團(tuán)符合世界各地對(duì)于石英晶體,貼片晶振,有源晶振,晶體振蕩器等產(chǎn)品要求的所有標(biāo)準(zhǔn).質(zhì)量符合國際標(biāo)準(zhǔn)體現(xiàn)了在商業(yè)實(shí)踐和產(chǎn)品方面的卓越品質(zhì).ECS Inc晶振不僅要讓客戶滿意并且要超越客戶所期望的.激勵(lì)鼓勵(lì)全體員工通過激發(fā)創(chuàng)造力、主動(dòng)性和責(zé)任感來促進(jìn)大家做更有意義的事.通過持續(xù)改進(jìn)集成業(yè)務(wù)流程,以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的有效性、效率和靈活性.

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ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

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ECSInc晶振規(guī)格	單位	HC-49USX晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.57954MHZ~70MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.huawenwenxue.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振規(guī)格	單位	HC-46X晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6MHZ~40MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.huawenwenxue.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振規(guī)格	單位	HC-49USSX晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.57954MHZ~50MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.huawenwenxue.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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HC-49USX晶振晶振尺寸圖：

hc-49usx 11.35_4.65

HC-46X晶振晶振尺寸圖：

HC-49USSX晶振尺寸圖：

HC-49USS 10.5_5.0

yijin-4 在使用ECS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

dlsjpp

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測定值.

如果石英晶振,石英晶體的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.ECS晶振,石英晶體,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我億金電子晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.

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HC-46X晶振 HC-49USX晶振 HC-46X晶振 HC-49USSX晶振 49S晶振

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