Jauch晶振,石英晶體,JXS32晶振,JXS32P4晶振,JXS32-WA晶振
頻率:10M~54MHZ
尺寸:3.2X2.5mm
Jauch晶振集團是石英晶體、晶體振蕩器和電池技術的主要專家之一.公司成立于1954年,現在是一家領先的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制產品行業的公司,最近也有創新的MEMS計時時鐘.
Jauch晶振深入的技術咨詢、高應用程序和認證技術、先進的測試環境、高可用性和快速交付的產品以及世界上最大的頻率生成設備倉庫.
自2003年以來,Jauch Quartz France一直是Jauch晶振集團的組成部分.快速反應時間,一個有才華員工的小而靈活的團隊,以及我們強大的客戶中心使我們成為典型的Jauch公司.我們提供各種壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器產品,從Jauch的產品組合.電力供應、連接器和電纜、聲學組件、鍵盤和變壓器為我們提供了在法國市場上額外的銷售和增長機會.
Jauch石英晶振集團位于villingen - schwenningen的總部的生產設施,以及時的方式滿足世界各地的客戶需求:MEMS振蕩器在我們自己的生產設施中配置和交付,并注重及時.
Jauch晶振,石英晶體,JXS32晶振,JXS32P4晶振,JXS32-WA晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定.
|
Jauch晶振規格 |
單位 |
JXS32晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
10.00MHZ~54.0MHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +90°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
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Jauch晶振規格 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
10.00MHZ~54.0MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
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Jauch晶振規格 |
單位 |
JXS32-WA晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
13.56MHZ~52MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +105°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
JXS32晶振尺寸圖:
JSX32P4晶振尺寸圖:
JXS32-WA晶振尺寸圖:
在使用Jauch晶振時應該注意以下事項:
以下是設計振蕩回路
產品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2.
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩.為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.Jauch晶振,石英晶體,JXS32晶振,JXS32P4晶振,JXS32-WA晶振
3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.
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