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FMI有源晶振,7050振蕩器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美國進口晶振,SMD壓控振蕩器
頻率：1.54~200MHz
尺寸：7.00mm x 5.00mm
FMI有源晶振,7050振蕩器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美國進口晶振,SMD壓控振蕩器
FMVC3S系列晶振，為FMI有源晶振，是美國進口晶振。該晶振的頻率范圍是1.54~200MHz，標(biāo)準(zhǔn)頻率容差是±50 ppm，具有良好的穩(wěn)定性，標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍是0~70度，電源電壓為3.3V，是VCXO晶振，HCMOS / TTL兼容，儲存溫度是-55~125度，尺寸為7.0 x 5.0mm，是7050振蕩器，SMD壓控振蕩器。壓控晶振的頻率溫度穩(wěn)定性由石英諧振器和振蕩電路兩方面的溫度特性引起，通常以石英諧振器的溫度特性為主。對于高頻寬壓控晶振，經(jīng)常會出現(xiàn)晶振的溫頻特性相對于石英諧振器的溫頻特性出現(xiàn)明顯偏移和惡化的情況。如果將該晶振用于應(yīng)答機中，將會減小應(yīng)答機在寬溫下的信號搜索范圍，降低使用性能。
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FMVC3S系列晶振，為FMI晶振，是美國進口有源晶振。該晶振的頻率范圍是1.54~200MHz，標(biāo)準(zhǔn)頻率容差是±50 ppm，標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍是0~70度，電源電壓為3.3V，是VCXO晶振，HCMOS / TTL兼容，儲存溫度是-55~125度，尺寸為7.0 x 5.0mm，是7050振蕩器，SMD壓控振蕩器，具有良好的穩(wěn)定性。壓控晶振的頻率溫度穩(wěn)定性由石英諧振器和振蕩電路兩方面的溫度特性引起，通常以石英諧振器的溫度特性為主。對于高頻寬壓控晶振，經(jīng)常會出現(xiàn)晶振的溫頻特性相對于石英諧振器的溫頻特性出現(xiàn)明顯偏移和惡化的情況。如果將該晶振用于應(yīng)答機中，將會減小應(yīng)答機在寬溫下的信號搜索范圍，降低使用性能。
FMI有源晶振,7050振蕩器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美國進口晶振,SMD壓控振蕩器
| Parameter | Specification | |||||||||||||||||||
| Frequency Range | 1.54 MHz - 200 MHz | |||||||||||||||||||
| Overall Frequency Tolerance |
±20 ppm to ±100 ppm (±50 ppm STD)
(Inclusive of Operating Temp., Supply Voltage, & Load.)
|
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| Operating Temperature Range | 0 to +70°C Std. | |||||||||||||||||||
| Storage Temperature | -55 to +125°C | |||||||||||||||||||
| Supply Voltage (Vdd) | +3.3 Vdc (±0.3 Vdc) | |||||||||||||||||||
| Supply Current (Icc) |
30 mA max. @ 1.54 to 23.9 MHz
50 mA max. @ 24.0 to 60.0 MHz
75 mA max. @ 61.0 to 160.0 MHz
90 mA max. @ 161.0 to 200.0 MHz
|
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| Symmetry (Duty Cycle) | 40/60% Std., 45/55% Available (See Spec. Option S). | |||||||||||||||||||
| Output “0” Level (VOL) | 0.3 Vdc max. @ +3.3 Vdc | |||||||||||||||||||
| Output “1” Level (VOH) | 3.0 Vdc min. @ +3.3 Vdc | |||||||||||||||||||
| Rise and Fall Time | 10 ns max. < 5 ns typical | |||||||||||||||||||
| Linearity | ±20% max. Std. , ±10% Available (See Spec. Option L) | |||||||||||||||||||
| Output Load |
10 TTL / 15 pF HCMOS < 40.0 MHz
15 pF HCMOS
|
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| Pullability |
±50 to ±100 ppm typical @ 3.3 Vdd
(Select a min. and max. pullability from part number.)
|
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| Jitter | 1 picosecond RMS Max | |||||||||||||||||||
| Phase Noise (typical) |
10 Hz
100 Hz
1kHz 10kHz 100kHz |
-75dBc/Hz -110dBc/Hz -125dBc/Hz -130dBc/Hz -140dBc/Hz |
||||||||||||||||||
| Control Voltage (Vc) | Nominal 1.65 Vdc, Range 0.0-3.3 Vdc, Positive Transfer | |||||||||||||||||||
| Aging @ 25°C | ±3 ppm max first year | |||||||||||||||||||
FMI有源晶振,7050振蕩器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美國進口晶振,SMD壓控振蕩器
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1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
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晶振系列
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- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
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- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
臺產(chǎn)晶振
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- CTS晶振
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- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
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